题目：

Patterning of Photoresist-Compatible Perovskite Quantum Dots for High-Definition Displays

作者：

Haoyu Wang+,  Chengzhao Luo+, *,  Yanhui Ding,  Zhenwei Ren,  Chenyang Fan,  Zixuan Chen,  Xin Zhou,  Zhiyong Zheng,  Yu Chen*

单位：

1 School of Optoelectronic Science and Engineering & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215006, China

2 Dushu Lake Science and Education Innovation District, National University of Singapore Suzhou Research Institute, Suzhou 215123, China

摘要：

钙钛矿量子点（PQD）的图案化是实现高分辨率显示的关键步骤。尽管将PQD与光刻胶共混可以实现光刻集成，但其固有的离子特性和较差的稳定性使其在接触极性组分时面临严重的侵蚀和荧光猝灭问题。为了克服这些挑战，陈煜和罗成招等人通过多步封装开发了一种稳定的PQD-光刻胶纳米复合材料。首先，在氨基硅烷功能化的二氧化硅纳米颗粒上原位生长PQD，有效抑制了聚集。随后，引入钾离子钝化表面缺陷。最后，使用氟化硅烷构建针对极性物质的保护屏障。所得纳米复合材料实现了高达96%的光致发光量子产率以及优异的热稳定性，在85°C下存放80天后仍能保持99%的初始发光强度。该材料可均匀分散在负性光刻胶中，并通过紫外光刻进行图案化，制备出最小线宽为1.5微米（11200 PPI）的清晰微结构。对绿色和红色PQD进行线宽15微米的双色图案化，实现了560 PPI。将这类颜色转换层与蓝色Mini-LED及液晶面板集成的白光原型器件，其色域覆盖了NTSC标准的132%。这项工作为将高性能PQD集成到微光电器件中提供了一个强大且可扩展的平台。

影响因子：10

分区情况：一区

链接：https://doi.org/10.1002/lpor.202502933